{"id":4058,"date":"2018-12-18T06:42:00","date_gmt":"2018-12-18T05:42:00","guid":{"rendered":"http:\/\/www.vimos-technologies.com\/en\/news\/srams-warum-netsols-neue-speicherzellentechnik-inzwischen-der-bessere-weg-ist"},"modified":"2021-10-28T15:54:16","modified_gmt":"2021-10-28T13:54:16","slug":"srams-warum-netsols-neue-speicherzellentechnik-inzwischen-der-bessere-weg-ist","status":"publish","type":"news","link":"https:\/\/www.restarframos.com\/de\/news\/srams-warum-netsols-neue-speicherzellentechnik-inzwischen-der-bessere-weg-ist","title":{"rendered":"SRAMs – warum NETSOLs neue Speicherzellentechnik inzwischen der bessere Weg ist"},"content":{"rendered":"

SRAM-Memory Produkte werden heute als Commodities gehandelt. Es sind also zumeist standardisierte Pinouts und Funktionen \u2013 die meisten Produkte von CYPRESS, ISSI, RENESAS, LYONTEK, GSI, NETSOL und andere sind untereinander pin- und funktionskompatibel. Nat\u00fcrlich wei\u00df man aus Erfahrung, da\u00df je nach Taktfrequenz SRAM nicht gleich SRAM ist, insbesondere wenn es sich um unterschiedliche CMOS Fertigungsprozesse handelt. Bei den asynchronen und synchronen SRAMs benutzen heute die f\u00fchrenden Hersteller 65nm CMOS Prozesse, um durch m\u00f6glichst kleine Transistoren die Chipfl\u00e4che klein zu halten und so die Anzahl der Chips pro Wafer zu erh\u00f6hen. Bei CMOS-Prozessen unterhalb 90nm treten aber eine ganze Menge Effekte wie Leckstr\u00f6me und interne Laufzeitprobleme etc. auf, die dazu f\u00fchren, da\u00df eigentlich alle Speicherbausteine heute eine ECC-Funktion beinhalten (Error-Correcting Code) m\u00fcssen, um die Datenintegrit\u00e4t sicherzustellen.<\/p>\n

Um die ECC-Funktion zu umgehen, und ein stabiles SRAM zu bauen, hat der im Jahre 2010 gegr\u00fcndete, koreanische Memory-Hersteller NETSOL mit Hilfe von SAMSUNG-Ingenieuren eine SRAM-Zelle entwickelt, die im Durchschnitt um 40-50% kleiner ist als jene der Wettbewerber (Vergleich z.B. basierend auf dem 4Mb SRAM) und stets mit dem bew\u00e4hrten und kosteng\u00fcnstigen 90nm CMOS-Prozess auskommt. Durch einen sehr symmetrischen Zellenaufbau und die Verwendung von nur zwei Metall-Layern (andere Hersteller ben\u00f6tigen drei Metall-Layer) konnte auch die Anzahl der internen Durchkontaktierungen (Vias) auf nur ca. zehn reduziert werden (andere Hersteller brauchen bis zu sechszehn). Nat\u00fcrlich sind auch bei einem 90nm CMOS Produkt die Maskenkosten zur Fertigung der Wafer erheblich g\u00fcnstiger als bei 65nm oder darunter. Alles in allem ergibt sich ein \u00e4u\u00dferst robuster SRAM-Speicher, welcher bestens geeignet ist f\u00fcr anspruchsvolle Applikationen in der Automatisierung, der Medizintechnik und im Automobil unter erh\u00f6hter Temperaturbelastung. NETSOL gibt die daraus resultierenden wirtschaftlichen Vorteile an seine Kunden weiter und bietet stets einen wettbewerbsf\u00e4higen Preis, der es erm\u00f6glicht, ein 4Mb Fast oder Low-Power SRAM f\u00fcr unter 1 U$ (10k Preis) anzubieten. In Europa vertrauen bereits hunderte Kunden im Bereich Industrieautomatisierung und Medizintechnik auf NETSOLs Speicher-ICs.<\/p>\n

Weitere NETSOL Vorteile, die heutzutage nicht selbstverst\u00e4ndlich sind:<\/h2>\n